磁性掺杂 InAs/GaSb 量子阱中的量子反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2014-10-09 v1 材料科学
摘要
量子反常霍尔效应最近已在低温 ( 30mK) 下的 Cr 掺杂 (Bi,Sb)Te 薄膜中被实验观测到。在这项工作中，我们提出在更传统的稀释磁性半导体中实现量子反常霍尔效应，具体采用掺杂的 InAs/GaSb II 型量子阱。基于四带模型，我们发现由于 InAs/GaSb 量子阱反转能带结构中的带边奇异性，铁磁性的居里温度得到了增强。在居里温度以下，通过直接计算霍尔电导确认了量子反常霍尔效应。基于八带 Kane 模型确定了量子反常霍尔相的参数范围。高质量的样品和强交换耦合使得磁性掺杂的 InAs/GaSb 量子阱成为在高温下实现量子反常霍尔绝缘体的良好候选者。
引用
@article{arxiv.1311.4113,
title = {Quantum Anomalous Hall Effect in Magnetically Doped InAs/GaSb Quantum Wells},
author = {Qingze Wang and Xin Liu and Hai-Jun Zhang and Nitin Samarth and Shou-Cheng Zhang and Chao-Xing Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.4113},
year = {2014}
}