InAs 量子阱中分数量子霍尔效应的观测
应用物理
2017-12-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
InAs 量子阱中的二维电子系统已成为承载具有非阿贝尔统计的奇异准粒子（如 Majorana 费米子和副费米子）的主要候选体系。然而，要充分发挥其潜力，该电子系统必须足够洁净以展现电子-电子相互作用现象。在此我们报道，在一个极低无序、阱宽 24 nm 的 InAs 量子阱中观测到分数量子霍尔效应，该量子阱包含密度为 cm、低温迁移率为 cm/Vs 的二维电子系统。在温度 mK 和 T 下，我们观测到纵向电阻的深极小值，并伴随朗道能级填充因子 处近乎量子化的霍尔平台。
引用
@article{arxiv.1712.01220,
title = {Observation of fractional quantum Hall effect in an InAs quantum well},
author = {Meng K. Ma and Md. Shafayat Hossain and K. A. Villegas Rosales and H. Deng and T. Tschirky and W. Wegscheider and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.01220},
year = {2017}
}