限制在 GaAs 量子阱中的空穴系统在 $\nu=1/2$ 处的分数量子霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2014-09-30 v1 强关联电子
摘要
我们在限制于宽度为 30 至 50 nm 且具有类双层电荷分布的 GaAs 量子阱中的二维空穴系统中，观测到了偶数分母朗道能级填充因子 处的分数量子霍尔效应（FQHE）。当电荷分布对称且仅在中等密度范围内时， FQHE 是稳定的，这与限制在约两倍宽度的 GaAs 量子阱中的二维电子系统中观察到的现象定性相似。尽管空穴朗道能级结构由于重空穴和轻空穴态的共存与混合而十分复杂，但我们发现空穴 FQHE 与双组分 Halperin-Laughlin () 态一致。
引用
@article{arxiv.1401.7605,
title = {Fractional Quantum Hall Effect at $\nu=1/2$ in Hole Systems Confined to GaAs Quantum Wells},
author = {Yang Liu and A. L. Graninger and S. Hasdemir and M. Shayegan and L. N. Pfeiffer and K. W. West and K. W. Baldwin and R. Winkler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.7605},
year = {2014}
}