朗道能级交叉处的偶分母分数量子霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2014-09-23 v1 强关联电子
摘要
分数量子霍尔效应（FQHE）是在强磁场下二维（2D）带电粒子中观测到的现象，是由强库仑相互作用稳定的多体态最迷人的宏观表现之一。当量子化朗道能级（LLs）的填充因子（）为分数时会出现该效应，除极少数例外情况外，该分数的分母均为奇数。在具有额外自由度的二维系统中，有可能导致费米能级处的朗道能级发生交叉。在这些交叉点及其附近，FQHE 态通常会减弱或被破坏。在此，我们报道了在高迁移率 GaAs 二维空穴系统中观测到的两个最低能量朗道能级的异常交叉，该交叉激发了在 处的新型偶分母 FQHE。
引用
@article{arxiv.1401.7742,
title = {Even-denominator Fractional Quantum Hall Effect at a Landau Level Crossing},
author = {Yang Liu and S. Hasdemir and D. Kamburov and A. L. Graninger and M. Shayegan and L. N. Pfeiffer and K. W. West and K. W. Baldwin and R. Winkler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.7742},
year = {2014}
}