理解ZnO中缺失的分数量子霍尔态
介观与纳米尺度物理
2016-05-04 v1
摘要
我们分析了在ZnO异质界面中的二维电子气（2DEG）里，库仑相互作用强度对奇偶分母分数量子霍尔效应所起的关键作用。在该系统中，朗道能级间隙比传统GaAs系统中小得多。即使在非常高磁场下，库仑相互作用相对于朗道能级间隙也很大。因此我们通过在随机相近似中考虑屏蔽库仑势，来考量高阶朗道能级的影响。有趣的是，我们利用此屏蔽势对集体模式进行的精确对角化研究，成功解释了近期的奇偶分母分数量子霍尔效应实验，特别是ZnO中5/2态意外缺失与9/2态存在。
引用
@article{arxiv.1512.05815,
title = {Understanding the Missing Fractional Quantum Hall States in ZnO},
author = {Wenchen Luo and Tapash Chakraborty},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.05815},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 4 figures