ZnO 界面处相互作用驱动的人造原子独特电子态
介观与纳米尺度物理
2017-05-24 v1
摘要
我们研究了外加磁场下 ZnO 界面处包含少量相互作用电子的平面量子点的电子态。在这些系统中，电子-电子相互作用效应预计比传统半导体量子系统（如 GaAs 或 InAs 量子点）中强得多。为了突出 ZnO 量子点中更强的库仑效应，我们将该系统的能谱和磁化强度与 InAs 量子点进行了比较。我们发现，在 ZnO 量子点中，更强库仑相互作用的特征体现为一个独特的基态，该基态具有与 InAs 量子点中相应基态截然不同的性质。我们的磁化强度结果还表现出量子点中从未观察到的行为：我们发现了更强的温度依赖性以及其他意外特征，例如量子点氦在高温下表现出的类似顺磁性的行为。
引用
@article{arxiv.1606.04554,
title = {Interaction-Driven Distinctive Electronic States of Artificial Atoms at the ZnO Interface},
author = {Tapash Chakraborty and Aram Manaselyan and Manuk Barseghyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.04554},
year = {2017}
}
备注
6 figures