少量子子相互作用中的固有电场效应 - 垂直耦合GaN量子点
材料科学
2009-11-10 v1 量子物理
摘要
我们研究了垂直耦合GaN/AlN量子点中多激子光谱的少量子子/Coulomb相关态。我们对少量子子/激子相互作用的基本性质进行了详细分析，这些性质是硅化物材料特有的。巨大的固有电场和较高的电子/空穴有效质量导致了与GaNAs基量子点不同的效应：固有激子-激子耦合、耦合点激子波函数的非分子特性、振荡强度对量子点高度的强烈依赖、量子点间隔不同屏障导致的基态能量位移。其中一些效应使GaN/AlN量子点成为量子信息处理中有趣的候选者。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0402260,
title = {Intrinsic electric field effects on few-particle interactions in coupled GaN quantum dots},
author = {Sergio De Rinaldis and Irene D'Amico and Fausto Rossi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0402260},
year = {2009}
}
备注
23 pages, 8 figures, 1 table