准单轴应力下 GaAs 量子点：实验与理论
介观与纳米尺度物理
2023-06-28 v5
摘要
我们研究了受限在初始无应变 GaAs/AlGaAs 量子点中的激子的光学性质随可变准单轴应力的变化。为验证描述纳米结构光学性质的先进计算工具，我们确定了量子点形貌以及量子点位置处外部诱导应变张量的面内分量。基于这些实验参数，我们结合八带 形式理论与采用构型相互作用方法的多粒子修正，计算了依赖于应变的激子发射能量、线偏振度与精细结构分裂。我们的计算定量地很好地再现了实验观测结果，并对偏差进行了讨论。
引用
@article{arxiv.2210.06999,
title = {GaAs quantum dots under quasi-uniaxial stress: experiment and theory},
author = {Xueyong Yuan and Saimon F. Covre da Silva and Diana Csontosova and Huiying Huang and Christian Schimpf and Marcus Reindl and Junpeng Lu and Zhenhua Ni and Armando Rastelli and Petr Klenovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.06999},
year = {2023}
}