电信波长单量子激子的激子精细结构分裂：统计与外部应变调谐

在电荷可调器件中，我们研究了单长波长 (1.1\mu m < \lambda < 1.3 \mu m) InGaAs 量子点中中性激子的精细结构分裂随外部单轴应变的变化。测量并操控了 16 至 136 \mu eV 之间的标称精细结构分裂。我们观察到分裂对外部应变的不同响应，包括正负调谐斜率、不同的调谐范围以及线性和抛物线依赖关系，表明这些物理参数强烈依赖于单个量子点独特的微观结构。为了更好地理解实验结果，我们应用了一个现象学模型来描述单轴应变下的激子极化和精细结构分裂。该模型预测，随着实验应变调谐范围的增加，可以使用单轴应变有效地消除选定电信波长点的精细结构。这些结果对于在电信波长处产生按需纠缠光子对很有前景。