偏切 GaAs(111)A 衬底上腔增强电信波长 InAs 量子点的精细结构分裂分析
量子物理
2022-10-03 v2
摘要
在电信波长下高效产生纠缠光子对于许多量子通信协议的成功以及基于光纤的量子网络的发展至关重要。纠缠光可由具有天然低精细结构分裂的固态量子发射器产生，例如生长在 (111) 取向表面上的高度对称 InAs 量子点 (QDs)。将此类量子点纳入光学腔对于实现应用所需的足够信号强度至关重要，但迄今已显示出重大困难。本工作中，我们展示了在偏切（2{\deg} 斜切）GaAs(111)A 衬底上于光学腔内以液滴外延生长电信波长 InAs 量子点。我们展示了相对于先前报道的光子提取效率的显著提升，以及密度的降低，从而便于单条谱线的隔离。此外，我们表征了激子精细结构分裂，并在经验赝势与组态相互作用方法框架下采用数值模拟来研究斜切对量子点光学性质的影响。我们证明斜切台阶的存在影响了激子态的偏振，并在表面的 对称性中引入了优先取向。
引用
@article{arxiv.2202.11436,
title = {Fine structure splitting analysis of cavity-enhanced telecom-wavelength InAs quantum dots grown on a GaAs(111)A vicinal substrate},
author = {Andrea Barbiero and Artur Tuktamyshev and Geoffrey Pirard and Jan Huwer and Tina Müller and R. Mark Stevenson and Sergio Bietti and Stefano Vichi and Alexey Fedorov and Gabriel Bester and Stefano Sanguinetti and Andrew J. Shields},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.11436},
year = {2022}
}