InAs/InP 量子点中高度减小的精细结构分裂提供高效的按需 1.55 $\mu$m 纠缠光子发射器
材料科学
2009-11-13 v1 量子物理
摘要
为了通过量子点 (QDs) 产生纠缠光子对，激子精细结构分裂 (FSS) 必须与激子均匀线宽相当。然而在 (In,Ga)As/GaAs 量子点中，本征 FSS 约为几十 eV。为了实现光子纠缠，需要从大量样品中挑选出具有极小 FSS 的样品，或者施加强面内磁场。通过对量子点中 FSS 根本原因的理论建模，我们预测 InAs/InP 量子点的本征 FSS 比 InAs/GaAs 量子点小一个数量级，更重要的是，其激子能隙匹配 1.55 m 光纤波长，从而为长距离量子通信提供高效的按需纠缠光子发射器。
引用
@article{arxiv.0806.0414,
title = {Highly-reduced Fine-structure splitting in InAs/InP quantum dots offering efficient on-demand 1.55 $\mu$m entangled photon emitter},
author = {Lixin He and Ming Gong and Chuan-Feng Li and Guang-Can Guo and Alex Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.0414},
year = {2009}
}