低密度 InGaAs/AlGaAs 量子点于滴落刻蚀纳米孔
应用物理
2025-08-13 v1 材料科学
摘要
过去二十年来，等倹生物半导体量子点 (QDs) 已显示出作为单光子及纠缠光子的优异性能。其中，滴落刻蚀生长法实现了近乎无应变的 QDs，具有低且可控的表面密度、较小的激子细节分裂 (FSS) 以及快速的辐射衰减。本文将局部滴落刻蚀技术扩展至 In(Ga)As QDs 于 AlGaAs，从而扩大可实现的发射波长范围（超越 GaAs/AlGaAs QDs 可及的范围），同时保留上述优势。我们观察到 QD 密度约为 ，FSS 最小可达 ，辐射寿命约为 ，并将可实现的发射范围扩展至约 （低温下）。我们设想这些 QDs 特别适用于集成量子光子学应用。
引用
@article{arxiv.2508.08400,
title = {Low-density InGaAs/AlGaAs Quantum Dots in Droplet-Etched Nanoholes},
author = {Saimon F. Covre Da Silva and Ailton J. Garcia and Maximilian Aigner and Christian Weidinger and Tobias M. Krieger and Gabriel Undeutsch and Christoph Deneke and Ishrat Bashir and Santanu Manna and Melina Peter and Ievgen Brytavskyi and Johannes Aberl and Armando Rastelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.08400},
year = {2025}
}