通过表面能原位调制触发 InAs/GaAs 量子点成核及生长速率测定
材料科学
2019-06-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
外延 InAs/GaAs 量子点（QDs）被广泛用作高效且纯净的单光子及纠缠光子对源，然而可靠的晶圆级生长技术一直难以实现。二维量子阱（QW）薄膜的生长可实现原子级精度，直至低于材料中电子的德布罗意波长，从而揭示量子盒中粒子的能量与厚度平方的关系。然而，由于难以控制纳米结构成核的精确时刻，这一行为在外延 QD 材料中变得模糊不清，阻碍了对其生长的清晰理解。在本工作中，我们证明了无需额外的材料或设备，仅通过直接调制晶体表面能即可诱导 QD 成核。这使我们获得了 QD 生长速率的定量测量，并实现了对 QD 生长过程的预测性设计。我们相信该技术对于实现单光子级可扩展量子器件所需的均匀 QD 阵列至关重要。
关键词
引用
@article{arxiv.1906.05842,
title = {Triggering InAs/GaAs Quantum Dot nucleation and growth rate determination by in-situ modulation of surface energy},
author = {Peter Spencer and Chong Chen and Wladislaw Michailow and Harvey Beere and David Ritchie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.05842},
year = {2019}
}
备注
19 pages, 7 figures (including supplementary info)