自催化薄 GaAs 纳米线侧壁上 Ge 量子点的热驱动形成
介观与纳米尺度物理
2021-04-01 v1
摘要
在纳米线（NW）侧壁上嵌入量子点（QDs）可将多层 QDs 集成到径向 p-i-n 结的有源区中，以大幅增强发光/吸光。然而，与薄膜上的生长相比，表面曲率使生长更具挑战性，尤其是在小直径（{\O} <100 nm）的 NW 上。此外，自催化 NW 的 {110} 侧壁晶面有利于二维生长（2D），使得三维（3D）Stranski-Krastanow 生长的实现极为困难。在此，我们展示了在薄自催化 NW 的 {110} 侧壁晶面上，无需任何表面活性剂或表面处理即可热驱动形成 Ge 点。生长在 GaAs NW 上的赝晶 Ge 层的 2D-3D 转变由高温退火下的能量最小化所驱动。该方法为在 NW 上集成 QDs 开辟了新途径，且不受 NW 直径或弹性应变限制，从而可在更广的材料体系中形成 QDs，而传统机制下的岛状生长在这些体系中无法实现，这对新型基于 NWQD 的光电器件有益。
引用
@article{arxiv.2103.16915,
title = {Thermally-driven formation of Ge quantum dots on self-catalysed thin GaAs nanowires},
author = {Yunyan Zhang and H. Aruni Fonseka and Hui Yang and Xuezhe Yu and Pamela Jurczak and Suguo Huo and Ana M. Sanchez and Huiyun Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.16915},
year = {2021}
}
备注
4