GaAs(001) 衬底上的侧壁量子线
介观与纳米尺度物理
2019-06-19 v1
摘要
我们研究了 GaAs(001) 衬底上侧壁量子线的结构、光学和输运性质。QWR 通过分子束外延 (MBE) 生长在预图案化有浅脊的 GaAs(001) 衬底上。它们是在图案化表面上过度生长量子阱 (QW) 期间材料在脊侧壁累积而形成的。QWR 宽约 200 nm，其发射能量相对于周围 QW 红移了 27 meV。空间分辨光谱光致发光研究表明，QW 厚度在 QWR 周围减小，从而为载流子从 QW 向 QWR 的转移创造了 4 meV 的势垒。我们展示，通过高频表面声波 (SAW)，QWR 可作为光学激发电子和空穴输运超过数十 m 的高效通道。这些结果证明了在 GaAs 衬底上通过光刻定义的亚微米尺寸 QWR 中实现高效双极性输运的可行性。
引用
@article{arxiv.1901.02735,
title = {Sidewall quantum wires on GaAs(001) substrates},
author = {Paul L. J. Helgers and Haruki Sanada and Yoji Kunihashi and Klaus Biermann and Paulo V. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.02735},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 8 figures