MBE生长的虚拟基板用于发射于电信O带和C带的量子点
介观与纳米尺度物理
2024-08-20 v2
摘要
发射于近红外区的InAs半导体量子点（QD）是面向按需单光子源和自旋-光子接口的有前景的平台。然而，实现在类似性能下发射于第二和第三电信窗口的量子-光子纳米器件仍是一个开放性挑战。本文报道了一种用于QD发射于O带和C带的优化异质结构设计，通过分子束沉积生长。InAs量子点生长于组成分级的InGaAs缓冲层上，这些缓冲层充当虚拟基板，并嵌入主要松弛的活性区域。 indium剂量轮廓的倒位空间图和光学吸收光谱用于优化In0.22Ga0.78As和In0.30Ga0.70As活性区域，考虑所选indium分级轮廓。这种方法结果在1200至1600 nm范围内实现可调的QD光致发光（PL）发射。在4 K下进行的功率和偏振相关的微-PL测量揭示了来自发射于电信O带和C带的量子点的激子-中子激子复合物。本研究建立了一个灵活的平台，可作为基于InAs/GaAs的高级光子器件的essential组件，这些器件用作未来量子网络的构建模块。
引用
@article{arxiv.2407.12619,
title = {MBE-grown virtual substrates for quantum dots emitting in the telecom O- and C-bands},
author = {Bianca Scaparra and Elise Sirotti and Akhil Ajay and Bjoern Jonas and Beatrice Costa and Hubert Riedl and Pavel Avdienko and Ian D. Sharp and Gregor Koblmueller and Eugenio Zallo and Jonathan J. Finley and Kai Mueller},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.12619},
year = {2024}
}