用于 GaAs 平台上电信 C 波段 InAs 量子点及光学谐振腔的薄膜 InGaAs metamorphic 缓冲层
光学
2021-08-03 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
量子物理
摘要
基于 GaAs 的材料体系因实现具有优异光学性质的 InAs 量子点（QDs）而广为人知。然而，这些量子点通常在约 900nm 波长处发光。插入 metamorphic 缓冲层（MMB）可将发光移至以 1550nm 为中心的具有技术吸引力的电信 C 波段范围。然而，常见 MMB 设计的厚度限制了其与大多数光子谐振腔类型的兼容性。本文报道了具有非线性铟含量梯度分布的新型 InGaAs MMB 的 MOVPE 生长，该设计旨在最小层厚内最大化塑性弛豫。展示了沉积于此薄膜 MMB 之上的 InAs QDs 在 1550nm 处的单光子发射。通过纳米结构化技术将其集成到牛眼腔（bullseye cavity）中，证明了新设计的优势。所提出的 QD/MMB 结构外延生长方面的进展，构成了制造高质量电信非经典光源的基础，而后者是光子量子技术的关键组件。
引用
@article{arxiv.2107.13371,
title = {Thin-Film InGaAs Metamorphic Buffer for telecom C-band InAs Quantum Dots and Optical Resonators on GaAs Platform},
author = {Robert Sittig and Cornelius Nawrath and Sascha Kolatschek and Stephanie Bauer and Richard Schaber and Jiasheng Huang and Ponraj Vijayan and Simone Luca Portalupi and Michael Jetter and Peter Michler},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.13371},
year = {2021}
}