单颗电信 C 带量子点中的 Stark 调谐与电荷态控制
量子物理
2025-12-30 v2 应用物理
光学
摘要
电信波长量子点（QD）正在成为生成与现有光纤基础设施兼容的确定性单光子源的有前景的解决方案。C 带低损耗的发射为其在长距离量子通信中提供理想选择。本文演示了对单个 InAs/InP 量子点进行 Stark 调谐和电荷态控制，这些量子点在电信 C 带内工作。这些量子点通过滴落生长法生长并嵌入基于 InP 的 n++-i-n+异质结构中，使用 MOVPE 制造。带有栅极的结构使能够通过量子限制 Stark 效应调节发射能量，调谐范围超过 2.4 nm。它还允许控制量子点的电荷占据，使能够访问多个离散激子态。进一步演示了对细结构分裂的电调，为在电信波长下生成纠缠光子对提供了一条途径。通过二阶相关测量确认了单光子特性。这些进展使量子点能够调谐到与其他系统（如腔体模式和发射器）共振，从而成为可扩展的、与光纤兼容的量子光子器件的关键一步。
引用
@article{arxiv.2506.07951,
title = {Stark Tuning and Charge State Control in Individual Telecom C-Band Quantum Dots},
author = {N. J. Martin and A. J. Brash and A. Tomlinson and E. M. Sala and E. O. Mills and C. L. Phillips and R. Dost and L. Hallacy and P. Millington-Hotze and D. Hallett and K. A. O'Flaherty and J. Heffernan and M. S. Skolnick and A. M Fox and L. R. Wilson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.07951},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 4 figures