基于 MOVPE 脱落 epitaxy 生长的宽带电信波段单光子发射源
光学
2025-11-24 v1 材料科学
量子物理
摘要
发展用于单光子发射的量子材料是推动量子信息技术发展的关键因素。虽然近红外波段（λ≈700-1000 nm）的单光子源在近年来取得了显著进展，但要实现理想的电信波段单光子发射仍面临若干挑战。本研究提出一种基于金属有机气相沉积（MOVPE）的脱落 epitaxy 策略，用于 O 带到 C 带的单光子源半导体量子点（QD）。通过考察沉积工艺的生长条件，我们成功合成了覆盖 λ≈1200-1600 nm 广广谱范围的 InAs/InP 量子点，其发射线窄�。利用原子力显微镜和微光致发光光谱对样品的形貌和光学性质进行表征。测得的单光子纯度达到 (g(2)(0) = 0.16)，辐射复合激发寿命最短可达 1.5 ns。该工作为未来在电信波段进行集成微腔增强技术及量子点与其他量子光子学系统的耦合提供了关键平台，为量子网络应用展现出广阔前景。
引用
@article{arxiv.2511.16894,
title = {Broadband telecom single-photon emissions from InAs/InP quantum dots grown by MOVPE droplet epitaxy},
author = {Shichen Zhang and Li Liu and Kai Guo and Xingli Mu and Yuanfei Gao and Junqi Liu and Fengqi Liu and Quanyong Lu and Zhiliang Yuan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.16894},
year = {2025}
}