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MOVPE 生长垂直关联 InAs/GaAs 量子点的光学表征

材料科学 2007-08-13 v1

作者: P. Hazdra , J. Voves , J. Oswald , K. Kuldova , A. Hospodkova , E. Hulicius , J. Pangrac

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摘要

采用低压金属有机气相外延（LP-MOVPE）技术在 GaAs 基体中生长了自组织 InAs 量子点结构。结合光致发光光谱和光调制反射光谱作为生长优化的主要表征手段。结果表明，光反射光谱是表征量子点结构润湿层（厚度和组分）以及识别垂直堆叠量子点结构中隔离层的优异工具。

关键词

InAs/GaAs 量子点金属有机气相外延 MOVPE 光学表征光致发光光调制反射润湿层

引用

@article{arxiv.0708.1468,
  title  = {Optical Characterisation of MOVPE Grown Vertically Correlated InAs/GaAs Quantum Dots},
  author = {P. Hazdra and J. Voves and J. Oswald and K. Kuldova and A. Hospodkova and E. Hulicius and J. Pangrac},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1468},
  year   = {2007}
}

备注

Submitted on behalf of TIMA Editions (http://irevues.inist.fr/tima-editions)