一种在 (110) GaAs 上生长长程有序自组装 InAs 量子点的数新方法
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们报告了一种在 (110) GaAs 上实现 InAs 量子点纳米级精确定位的新方法。通过将量子点自组装与分子束外生长结合（在原位 cleaved 表面上生长），我们成功制造了长程有序的 InAs 量子点阵列。原子力显微镜和光子发光测量均证明了对量子点的尺寸、位置和有序性的控制能力。此外，单颗量子点光子发光研究确认了所制造量子点的高光学质量。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403328,
title = {A new method to epitaxially grow long-range ordered self-assembled InAs quantum dots on (110) GaAs},
author = {J. Bauer and D. Schuh and E. Uccelli and R. Schulz and A. Kress and F. Hofbauer and J. J. Finley and G. Abstreiter},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403328},
year = {2007}
}