在图案化 InP 基底上自组装 InAs 量子点
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
控制在 (001) InP 基底上沿 Stranski-Krastanow 生长模式生长的自组装 InAs 量子点尺寸分布,以选择性区域/化学束外延实现,从而允许在特定位置形成量子点。当图案区域尺寸从 1000 nm 减小至 50 nm 以下时,扫描电子显微镜显示量子点之间的空间关联性逐渐增强,从而在尺寸小于 200 nm 时形成有序数组。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012440,
title = {Self-Assembled InAs Quantum Dots on Patterned InP Substrates},
author = {J. Lefebvre and P. J. Poole and J. Fraser and G. C. Aers and D. Chithrani and R. L. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012440},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 5 figures