InAs 自组装量子环在 InP 上的形成
凝聚态物理
2009-11-07 v1
摘要
研究了部分覆盖自组装 InAs 量子点生长于 InP 上的形状变形。原子力显微镜图像显示，在 1 nm 厚的 InP 覆盖层覆盖后，岛材料存在显著的各向异性 redistributed。这种各向异性材料 redistributed 在几分钟内发生，导致镜状岛屿向细长环状岛屿的形状变化。该形状变形不伴随点材料组成的变化。InAs/InP 量子环的形成与以往假设 InAs/GaAs 环形成是由 indium 和 gallium 原子表面扩散速度差异驱动的模型不一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210631,
title = {Formation of InAs Self-Assembled Quantum Rings on InP},
author = {T. Raz and D. Ritter and G. Bahir},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210631},
year = {2009}
}
备注
13 pages, including 2 figures and 1 table. Submitted to Appl. Phys. Lett