生长于 [11k] 衬底上的 (In,Ga)As 帽层覆盖 InAs 量子点的光学性质
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
利用包含应变与压电效应的三维 k.p 计算，我们表明，生长方向上的量子点 (QD) 尺寸决定了 (In,Ga)As 帽层对 [11k] 衬底上生长的 InAs QDs 光学性质的影响，其中 k=1,2,3。对于扁平量子点，帽层中 In 浓度的增加会导致跃迁能降低，这与 [001] 衬底上生长的 QDs 情况相同；而对于大量子点，帽层中 In 浓度的增加伴随着跃迁能的上升，直至达到 In 的临界浓度，此后光学跃迁能开始下降。
引用
@article{arxiv.0704.2300,
title = {Optical properties of (In,Ga)As capped InAs quantum dots grown on [11k] substrates},
author = {V. Mlinar and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.2300},
year = {2009}
}