嵌入 GaP 基体中的 (InGa)(AsSb)/GaAs 量子点的光学响应
介观与纳米尺度物理
2019-11-13 v2 材料科学
摘要
通过激发和温度依赖的光致发光（PL）研究了在 GaP (001) 衬底上生长的 (InGa)(AsSb)/GaAs 量子点（QDs）的光学响应，并将其与其复杂的电子结构相关联。此类量子点同时表现出直接和间接跃迁，这允许根据化学计量比的细节在能量上交换 和 量子受限态。基于从高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）测量得到的量子点结构和组分的真实数据，利用 理论进行了模拟。这里给出的实验证实了关于动量直接和间接 I 型光学跃迁的理论预测。通过拉曼和光反射谱相结合的额外研究表明，取决于量子点和覆盖层的顺序添加，量子点层中的静水应变发生了改变。跨越四个数量级的激发密度变化揭示了量子点发射的 50 meV 能量蓝移。我们的发现表明，仅基于观测到随泵浦增强的蓝移来判定跃迁类型是不充分的。因此我们提出了一种更一致的方法，基于分析蓝移随光泵浦演化的特征，其采用了基于半自洽组态相互作用方法的数值模型。
引用
@article{arxiv.1906.09842,
title = {Optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots embedded in a GaP matrix},
author = {Petr Steindl and Elisa Maddalena Sala and Benito Alén and David Fuertes Marrón and Dieter Bimberg and Petr Klenovský},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.09842},
year = {2019}
}