[111] 方向生长 GaAs 液滴量子点的电荷调控
介观与纳米尺度物理
2014-08-29 v1
摘要
我们演示了在 GaAs(111)A 衬底上通过液滴外延生长的无应变 GaAs/AlGaAs 量子点 (QDs) 中的电荷调控。施加偏置电压可实现对 QDs 从到的可控充电。我们在 T=4K 的微光致发光实验中记录了由此产生的 QDs 发射能量和激子精细结构的变化。除了类 s 壳层基态外，我们还发现了激发价带和导带态的存在。我们记录到第二组发射线，其位于带电激子发射上方约 25meV 处，源于激发的带电激子。对于这些激发带间跃迁，在纵向磁场中发现了大幅度的负抗磁位移。
引用
@article{arxiv.1407.6585,
title = {Charge tuning in [111] grown GaAs droplet quantum dots},
author = {L. Bouet and M. Vidal and T. Mano and N. Ha and T. Kuroda and M. V. Durnev and M. M. Glazov and E. L. Ivchenko and X. Marie and T. Amand and K. Sakoda and G. Wang and B. Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.6585},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 3 figures