未掺杂 GaAs/AlGaAs 量子点器件的制备与表征
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1 量子物理
摘要
我们展示了一种在未掺杂 GaAs/AlGaAs 异质结中利用双顶栅设计制备的集成电荷传感器双量子点器件的开发。基于对集成电荷传感器的评估，该双量子点可调谐至少电子区域。此外，双量子点的点间耦合可根据中间栅极电压在大范围内进行调谐。研究表明，该量子点可从单点调谐至隔离良好的双点。为了评估此类设计的稳定性，我们测量了由 1/f 噪声引起的势涨落。基于本文发现，在未掺杂 GaAs/AlGaAs 半导体中开发的量子点设计显示出在未来纳米器件开发中的应用潜力。
引用
@article{arxiv.1406.7082,
title = {Fabrication and characterization of an undoped GaAs/AlGaAs quantum dot device},
author = {Hai-Ou Li and Gang Cao and Ming Xiao and Jie You and Da Wei and Tao Tu and Guang-Can Guo and Hong-Wen Jiang and Guo-Ping Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.7082},
year = {2015}
}