n-AlGaAs/GaAs 异质结二维电子气中定义的量子点：静电势与充电特性的模拟
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们提出了一种自洽的 Schrödinger-Poisson 方案，用于模拟在 n-AlGaAs/GaAs 异质结处形成的栅控二维电子气中定义的静电量子点。该计算方法应用于对 Elzermann 等人 [Appl. Phys. Lett. {\bf 84}, 4617 (2004)] 实验研究的输运性质的定量描述。该三维模型描述了整个器件的静电学特性，其中量子点在施加电压变化时改变形状并在栅控区域内浮动。我们的方法考虑了任意几何形状和配置的金属电极，包括了垂直于生长方向施加的磁场、受限电子系统中的电子 - 电子关联及其与环绕量子点的电子库的相互作用。我们计算了电场、空间电荷分布以及受限电子的能量和波函数，以描述电子库与受限电荷团块之间两个输运通道的开启。我们确定了给量子点充入多达 4 个电子所需的电压。结果与实验数据在定性和定量上均一致。
引用
@article{arxiv.0712.1736,
title = {Quantum dot defined in two-dimensional electron gas at n-AlGaAs/GaAs heterojunction: simulation of electrostatic potential and charging properties},
author = {S. Bednarek and K. Lis and B. Szafran},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.1736},
year = {2009}
}