揭示基于GaAs的纳米电子器件的电荷分布：一种大实验数据集方法
介观与纳米尺度物理
2022-12-08 v3
摘要
在量子纳米电子学中，数值模拟已成为无处不在的工具。然而与实验的比较常在定性层面进行，或局限于具有少量拟合参数的单一器件。在本工作中，我们通过将单一模型的结果与包含110个器件、48种不同几何结构的大型实验数据集进行比较，来评估这些模拟的预测能力。这些器件为各种形状与尺寸、由沉积在高迁移率GaAs/GaAlAs二维电子气上的静电栅极制成的量子点接触。我们研究施加于栅极以在不同空间位置耗尽二维电子气的夹断电压。我们认为夹断电压是器件中电荷分布的一种非常稳健的特征。该大型实验数据集使我们能够批判性审视建模，并得到一个可在原位校准的稳健单参数模型，这是实现预测性模拟的关键一步。
引用
@article{arxiv.2205.00846,
title = {Unveiling the charge distribution of a GaAs-based nanoelectronic device: A large experimental data-set approach},
author = {Eleni Chatzikyriakou and Junliang Wang and Lucas Mazzella and Antonio Lacerda-Santos and Maria Cecilia da Silva Figueira and Alex Trellakis and Stefan Birner and Thomas Grange and Christopher Bäuerle and Xavier Waintal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.00846},
year = {2022}
}
备注
33 pages, 16 figures, journal submission, corrected author name typo, added references, corrected visibility of appendix table, to appear in Physical Review Research