p型GaAs量子点中激发态的观测
介观与纳米尺度物理
2008-11-28 v1
摘要
通过扫描探针氧化光刻技术在p型碳掺杂GaAs/AlGaAs异质结构上制备的量子点，我们利用低温电导测量对其进行了研究。观察到了清晰的库仑阻塞振荡，并在T_hole = 185 mK下通过量子点单粒子能级的顺序隧穿进行了分析。从库仑金刚石测量中评估出的高达2 meV的充电能量，以及电荷稳定性图中清晰分辨的单空穴激发态线，表明该量子点以少量受限粒子运行，接近终极单空穴态。
引用
@article{arxiv.0809.1362,
title = {Observation of excited states in a p-type GaAs quantum dot},
author = {Y. Komijani and M. Csontos and T. Ihn and K. Ensslin and D. Reuter and A. D. Wieck},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.1362},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 5 figures