共隧穿机制下的量子点占据与电子驻留时间
介观与纳米尺度物理
2012-08-29 v2
摘要
我们展示了 GaAs/AlGaAs 量子点的电荷占据与电导的对比测量结果。量子点电荷通过电容耦合的量子点接触传感器进行测量。在近平衡的单能级库仑阻塞机制下，发现电荷信号与电导信号成正比。我们得出结论，在该机制下，这两个信号提供了关于量子点系统的等价信息。在非平衡状态下，我们研究了非弹性共隧穿机制。我们将测得的微分量子点电荷与一个估计值进行了比较，该估计值假设透射载流子在量子点上的驻留时间为，其中是一阶隧穿的阻塞能量。测得的信号量级与该估计值相似，这与将共隧穿视为通过具有短寿命的虚拟中间态进行透射的图像相容。
引用
@article{arxiv.1204.4553,
title = {Quantum dot occupation and electron dwell time in the cotunneling regime},
author = {B. Küng and C. Rössler and M. Beck and J. Faist and T. Ihn and K. Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.4553},
year = {2012}
}