不同隧穿势垒对称性与偏压下量子点的电荷探测
介观与纳米尺度物理
2022-10-07 v1
摘要
我们报道了在一个耦合量子点（QD）系统中的实现，该系统包含在两根相邻 InAs 纳米线中制作的两个单量子点。一个量子点（传感器量子点）用作电荷传感器，以探测另一个量子点（目标量子点）中的电荷态跃迁。我们研究了目标量子点的隧穿势垒不对称性对其电荷态跃迁探测可见度的影响。在不同势垒栅压配置下，目标量子点的电荷稳定性相图同时通过目标量子点的直接电子输运信号以及来自传感器量子点的目标量子点电荷态跃迁探测信号被同时测量。我们发现，仅当目标量子点的隧穿势垒近似对称时，才能在传感器量子点的跨导信号中观察到目标量子点的完整库仑菱形边界以及涉及目标量子点激发态的输运过程。通过分析两个隧穿速率之比对通过目标量子点的电子输运过程的影响，解释了这些现象。我们的结果表明，在构建集成电荷传感器的量子点器件或量子比特时，考虑隧穿耦合的对称性十分重要。
引用
@article{arxiv.2105.11162,
title = {Charge detection of a quantum dot under different tunneling barrier symmetries and bias voltages},
author = {Jingwei Mu and Weijie Li and Shaoyun Huang and Dong Pan and Yuanjie Chen and Ji-Yin Wang and Jianhua Zhao and H. Q. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.11162},
year = {2022}
}
备注
18 pages, 5 figures