InAs/InP纳米线异质结构量子点中高度对称且可调的隧穿耦合
介观与纳米尺度物理
2020-01-17 v1
摘要
我们对 InAs/InP 纳米线异质结构进行了全面的电学表征，该结构包含两个形成量子点（QD）的 InP 势垒、两段相邻引线段（LSs）以及两个金属接触，并展示了如何提取 QD 有价值的定量信息。该 QD 在较大栅压范围内呈现出非常规则的库仑阻塞（CB）共振。通过分析共振线形，我们描绘了隧穿耦合从少电子区到多电子区的演化，其电学可调隧穿耦合从 <1 μeV 到 >600 μeV，并存在从温度展宽到寿命展宽的转变。InP 段形成了具有几乎完全对称隧穿耦合、势垒高度约 350 meV 的隧穿势垒。基于确定性的材料组成与几何结构，所有这些发现均可在极细程度上被理解。我们的结果表明，集成 InAs/InP QD 为 InAs 纳米线中的电子隧穿谱学提供了一个有前景的平台，其可轻易由多种超导材料接触以研究邻近化纳米线区域中的能隙下态，或用于表征量子区中的热电纳米器件。
引用
@article{arxiv.1909.07751,
title = {Highly symmetric and tunable tunnel couplings in InAs/InP nanowire heterostructure quantum dots},
author = {Frederick S. Thomas and Andreas Baumgartner and Lukas Gubser and Christian Jünger and Gergő Fülöp and Malin Nilsson and Francesca Rossi and Valentina Zannier and Lucia Sorba and Christian Schönenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.07751},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 4 figures