硬壁 InAs/InP 纳米线量子点中的微波辅助隧穿
介观与纳米尺度物理
2019-12-23 v3
摘要
随着电子电路的微型化，基于半导体量子点的组件对未来技术日益重要。它们在外部刺激下的响应本质上取决于其量子性质。在此我们研究在离共振微波驱动下硬壁 InAs/InP 纳米线中的单电子隧穿。我们的异质结构纳米线包含 InAs 量子点(QDs)，并表现出不同的隧穿电流 regime。特别地，对于高达几 mV 的源漏偏压，库仑钻石随微波功率增加而以不断增强的对比度展开，并呈现多次电流极性反转。该行为可用微波场诱导的电压涨落建模，并呈现出依赖于参与隧穿过程的离散能级之间相互作用的特征。
引用
@article{arxiv.1907.12324,
title = {Microwave-Assisted Tunneling in Hard-Wall InAs/InP Nanowire Quantum Dots},
author = {Samuele Cornia and Francesco Rossella and Valeria Demontis and Valentina Zannier and Fabio Beltram and Lucia Sorba and Marco Affronte and Alberto Ghirri},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.12324},
year = {2019}
}