单个量子点中共振电载流子注入的光学成像
介观与纳米尺度物理
2010-12-15 v1
摘要
我们对嵌入在 GaAs p-i-n 二极管本征区的自组装 InAs 量子点 (QD) 的微电致发光 (EL) 光谱进行成像，并演示了对单个 QD 中共振载流子注入的光学检测。在低于平带条件的偏压下，电子和空穴共振隧穿进入 QD，导致出现单个 QD 特有的尖锐 EL 线，同时表面 EL 发射在空间上碎裂成小而离散的发光区域，每个区域都有其自身的光谱特征和斯塔克位移。我们将这种行为解释为库仑相互作用效应以及由于载流子优先共振隧穿路径而选择性激发集合中少量 QD 的结果。
引用
@article{arxiv.1007.2733,
title = {Optical imaging of resonant electrical carrier injection into individual quantum dots},
author = {A. Baumgartner and E. Stock and A. Patanè and L. Eaves and M. Henini and D. Bimberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.2733},
year = {2010}
}
备注
4 pages