耦合量子点中电子低能激发的观测
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
通过共挨非弹性光散射探测到干掺杂AlGaAs/GaAs耦合量子点（QD）中电子的隧穿激发。发现一系列的内壳和跨壳激发，其能量由量子点约束能与隧穿势垒（对称态和反对称态非局域单粒子分子态之间的能级分裂）之间的相互作用所决定。这些纳米结构中电子激发显示出窄线宽，这表明这些人工分子中电子态纠缠的光谱调查具有巨大的潜在价值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511572,
title = {Observation of low-lying excitations of electrons in coupled quantum dots},
author = {Cesar Pascual Garcia and Sokratis Kalliakos and Vittorio Pellegrini and Aron Pinczuck and Brian S. Dennis and Loren N. Pfeiffer and Ken W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511572},
year = {2009}
}
备注
8 pages, single column, including 3 figures