GaAs横向量子点分子中电子耦合的实验观测
材料科学
2011-11-09 v3
摘要
我们报道了横向耦合的GaAs/AlGaAs量子点的制备和光致发光特性。量子点分子中的耦合通过外部电场进行调谐。对于不同的分子，观察到由谱线交叉和避免交叉组成的复杂行为。光致发光光谱中的反交叉模式直接证明了两个邻近量子点之间的横向耦合。简单的计算表明，这种耦合是由电子隧穿介导的，通过隧穿，直接和间接激子的态被带入共振。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612701,
title = {Experimental Observation of Electronic Coupling in GaAs Lateral Quantum Dot Molecules},
author = {L. Wang and A. Rastelli and S. Kirawittaya and M. Benyoucef and O. G. Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612701},
year = {2011}
}