应力场下单颗InAs量子点分子的光致发光
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们研究了两个垂直堆叠InAs量子点之间的电子耦合，这两个量子点嵌入n-i-n结构的中心。我们使用微型光致发光装置对单个量子点对进行光学隔离，并在施加垂直电场下测量其平均光致发光。我们发现，场可调的量子点激发态之间的耦合导致一个量子点中的电荷传输到另一个量子点。我们包括场依赖的电荷传输和光捕获速率，以及量子点分子中不同载流子配置的多体谱，来建模光谱。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109334,
title = {Photoluminescence of a single InAs quantum dot molecule under applied electric field},
author = {I. Shtrichman and C. Metzner and B. D. Gerardot and W. V. Schoenfeld and P. M. Petroff},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109334},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 5 figures