高温下通信波段 InAs 量子点的点间耦合与激发转移机制
介观与纳米尺度物理
2012-02-21 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们研究了在光通信波段发射的单个 InAs/InGaAlAs 量子点的光致发光温度依赖性。这些高密度量子点生长于 InP 衬底上，并通过加工合适的纳米级台面来选择较少数量的量子点。利用此类台面内仅包含少数几个量子点的系综，我们系统研究了它们的温度稳定性、点间电荷转移以及载流子捕获和逃逸出量子点的机制。这包括对量子点系综和单个量子点的讨论。在单量子点特性方面，我们研究了发射谱线随温度从零声子线向声子边带主导线形的转变。此外，我们证明了单复合谱线在高达约 150 K 的温度下依然存在。
引用
@article{arxiv.1202.1589,
title = {Inter-dot coupling and excitation transfer mechanisms of telecommunication band InAs quantum dots at elevated temperatures},
author = {C. Hermannstädter and N. A. Jahan and J. -H. Huh and H. Sasakura and K. Akahane and M. Sasaki and I. Suemune},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.1589},
year = {2012}
}
备注
20 pages, 10 figures