在C波段通信窗口发射的InAsP/InP量子点的时间分辨表征
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
通过时间分辨微光致发光技术，作为温度的函数，研究了在InP(001)衬底上通过低压金属有机气相外延生长的、发射波长约为1.55 μm的InAsP量子点的动态响应。激子寿命从低温下的1 ns稳步增加，在300K时达到4 ns，而积分光致发光强度仅下降了2/3。这些特征表明，这种InAsP/InP量子点即使在室温下也能提供强载流子限制，并且其动态响应在室温以下不受热激活非辐射复合的影响。
关键词
引用
@article{arxiv.0807.3460,
title = {Time-Resolved characterization of InAsP/InP quantum dots emitting in the C-band telecommunication window},
author = {Richard Hostein and Adrien Michon and Gregoire Beaudoin and Noelle Gogneau and Gilles Patriache and Jean-Yves Marzin and Isabelle Robert-Philip and Isabelle Sagnes and Alexios Beveratos},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3460},
year = {2009}
}