InAs/GaAs 量子点分子中激子寿命
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
通过时间分辨光致发光测量了 InAs/GaAs 垂直耦合量子点对阵列中激子寿命 。观察到 相对于量子点参考值降低了约 2 倍，反映了点间相干性。随着分子耦合强度增加，随着势垒宽度减小， 系统性降低；对于宽垡_barrier，部分结构显示出较弱的耦合，而对于窄垡_barrier，所有分子似乎都表现出良好耦合。这些分子激子获得了两个独立量子点激子的振荡强度，从而将激子寿命减半。这种超辐射效应促成了之前观察到的均匀激子线宽增大，但作用小于 寿命的降低。这表明与量子点参考相比，纯耗能在分子中变得越来越重要。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504510,
title = {Exciton lifetime in InAs/GaAs quantum dot molecules},
author = {C. Bardot and M. Schwab and M. Bayer and S. Fafard and Z. Wasilewski and P. Hawrylak},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504510},
year = {2009}
}