具有水平间隔层的 InAs/GaAs 量子点分子的子带间电子性质
材料科学
2013-12-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本研究调查了两个横向耦合的圆顶形 InAs/GaAs 量子点的子带间电子性质。包络函数和本征能量被计算为点间距的函数。利用点间的跃迁寿命研究了点间的耦合。结果表明，在近距离（小于 3 nm）下，量子点是耦合的；随着距离增加，跃迁寿命急剧下降，量子点变为非耦合状态。
引用
@article{arxiv.1312.2951,
title = {Intersubband Electronic Properties of InAs/GaAs Quantum Dot Molecules with Horizontal Spacer},
author = {A. Khaledi-Nasab and M. Shahzadeh and H. Amouzegar and M. Sabaeian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.2951},
year = {2013}
}
备注
4 pages