由相同 InAs/GaAs 量子点组成的自组装量子点-分子中的不对称性
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
我们表明，由两个相同、垂直堆叠的应变 InAs/GaAs 自组装量子点构成的二原子量子点分子，其单粒子和多粒子波函数均 exhibits 不对称性。由于应变不均匀，单粒子波函数呈不对称性；由于相关诱导的局域化效应，导致多粒子波函数的不对称性：最低的单称态 和三重态 态显示两个电子分别局域于分子上的不同量子点；对于下一个单称态 ，两个电子在分子间距 d > 8 nm 时局域于同一（下部）量子点。发现在量子点间距 d = 9 nm 时的单称-三重能级分离约为 0.1 meV，而在 d = 4 nm 时可达 100 meV，相对于大型（50-100 nm）电荷约束量子点中仅几 meV 的能级分离，大了数个数量级。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412172,
title = {Asymmetry in self-assembled quantum dot-molecules made of identical InAs/GaAs quantum dots},
author = {Lixin He and Gabriel Bester and Alex Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412172},
year = {2009}
}