[110] 倾斜 InAs/GaAs 量子点堆叠的电子与光学性质
介观与纳米尺度物理
2014-03-18 v1 计算物理
摘要
本文进行了数百万原子规模的模拟，以研究 [110] 倾斜量子点堆叠（QDSs）中堆叠角（）依赖的应变分布、电子结构及偏振分辨光学模式。计算结果表明，倾斜 QDSs 具有高度不对称的双轴应变分布，这强烈影响了空穴波函数的限域，从而控制了偏振响应。计算得到的偏振度与现有实验数据吻合良好，并预测了倾斜 QDSs 的一项独特性质：即可以从 [110] 和 [-110] 解理边同时实现各向同性的偏振响应，这是传统 [001]-QDSs 无法具备的特征。对极坐标图的详细研究进一步证实，倾斜 QDSs 为微调其偏振特性提供了一个额外的调控手段。
引用
@article{arxiv.1401.6099,
title = {Electronic and Optical Properties of [110]-Tilted InAs/GaAs Quantum Dot Stacks},
author = {Muhammad Usman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.6099},
year = {2014}
}
备注
Accepted for publication in PRB (Rapid Comm.)