单自组装量子点中激子量子比特的偏振特性
介观与纳米尺度物理
2013-04-18 v1
摘要
我们研究了单自组装 InAs/GaAs 量子点中中性激子发射的偏振特性。面内形状和应变各向异性强烈耦合了重空穴和轻空穴态，导致大的光学各向异性，其非正交线偏振态与晶体学轴不重合。由于波导实验构型，观测到了沿生长轴的发光偏振，揭示了生长平面外的形变张量剪切分量的存在。共振发光实验确定了两个激子本征态的振子强度比。价带混合主导了这一比率，且量子点之间可能差异很大；然而，偏振各向异性轴在的扫描区域内相当固定，表明与其相关的面内形变方向具有量级为的相关长度。
引用
@article{arxiv.1110.4042,
title = {Polarization properties of excitonic qu-bits in single self-assembled quantum dots},
author = {C. Tonin and R. Hostein and V. Voliotis and R. Grousson and A. Lemaitre and A. Martinez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.4042},
year = {2013}
}