GaN/AlN 量子点的偏振发射：单点光谱学与基于对称性的理论
其他凝聚态物理
2008-07-07 v3
摘要
我们报道了沿 (0001) 晶轴在 Si(111) 衬底上通过分子束外延生长的单 GaN/AlN 量子点的微光致发光研究。发射线表现出沿生长平面的线性偏振，但偏振度大小各异，且主偏振轴不一定对应于晶体学方向。此外，我们未能观察到偏振发射线的任何分裂，至少在实验装置的谱分辨率（1 meV）范围内是如此。我们提出了一个基于电子 - 空穴交换相互作用与面内应变和/或量子点形状各向异性共同作用的模型，以解释我们的观测结果与先前报道的基于 CdTe 或 InAs 的量子点观测结果之间的定量差异。
引用
@article{arxiv.0803.0899,
title = {Polarized emission of GaN/AlN quantum dots : single dot spectroscopy and symmetry-based theory},
author = {Richard Bardoux and Thierry Guillet and B. Gil and P. Lefebvre and T. Bretagnon and T. Taliercio and Sébastien Rousset and F. Semond},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.0899},
year = {2008}
}