单层 InGaN/GaN 量子点中 A、B 类激子复合物的偏振发射线
材料科学
2007-06-14 v1
摘要
我们报告了对单层 InGaN/GaN 量子点（QDs）的 Cathodoluminescence 测量。 每个 QDs 最多可观测到五条复合谱线。 这些谱线的偏振方向沿晶体的正交晶向 [1 1 -2 0] 和 [-1 1 0 0]。 真实的八带 k·p 电子结构计算表明，谱线的偏振可由涉及由 A 或 B 价带形成的空穴态的激子复合所解释。
引用
@article{arxiv.0705.3595,
title = {Polarized emission lines from A- and B-type excitonic complexes in single InGaN/GaN quantum dots},
author = {M. Winkelnkemper and R. Seguin and S. Rodt and A. Schliwa and L. Reissmann and A. Strittmatter and A. Hoffmann and D. Bimberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.3595},
year = {2007}
}
备注
accepted at Journal of Applied Physics