非极性InGaN量子点强偏振光子发射的实验与理论分析
介观与纳米尺度物理
2016-11-22 v2
摘要
我们提出对非极性a面InGaN量子点（QDs）偏振特性及其起源的全面研究，基于统计显著的实验数据和严格的k.p建模。无偏选择和研究180个单独QD使我们能够计算平均偏振度0.90，标准偏差仅0.08。结合理论见解，我们展示a面InGaN QDs对尺寸差异、形状各向异性和铟含量波动高度不敏感。此外，91%的研究QD表现出沿晶体[1-100]轴的偏振轴，其他9%沿与此方向正交偏振。结合它们发射单光子的能力，a面QD是生成线偏振单光子的良好候选者，这一特征对量子密码协议有吸引力。
引用
@article{arxiv.1609.06885,
title = {Experimental and theoretical analyses of strongly polarized photon emission from non-polar InGaN quantum dots},
author = {Tong Wang and Tim J. Puchtler and Saroj Kanta Patra and Tongtong Zhu and Muhammad Ali and Tom Badcock and Tao Ding and Rachel A. Oliver and Stefan Schulz and Robert A. Taylor},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.06885},
year = {2016}
}