紧密堆叠InAs/GaAs柱状量子点中与偏振无关的基态光学跃迁
介观与纳米尺度物理
2020-06-30 v1 材料科学
摘要
本工作通过执行数百万原子的紧束缚模拟，分析了InAs/GaAs柱状量子点（QDs）的电子和光学性质。偏振依赖的基态光学跃迁强度图预测，通过设计柱状量子点中的QD层数，可在1550 nm发射/吸收波长处实现接近零的偏振度。这些结果对于设计需要偏振不敏感光学响应的器件（如半导体光放大器）具有前景。
引用
@article{arxiv.2006.15989,
title = {Polarization Independent Ground State Optical Transitions in Closely Stacked InAs/GaAs Columnar Quantum Dots},
author = {Muhammad Usman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.15989},
year = {2020}
}
备注
2 pages, 2 figures, conference extended abstract