二维拓扑绝缘体中量子点的能级电调控交叉
介观与纳米尺度物理
2017-04-27 v1
摘要
我们研究了由静电势形成的二维拓扑绝缘体（TI）中量子点（QDs）束缚态的能谱及其随 QD 深度和半径变化的转变。发现与平庸绝缘体不同，基态与第一激发态之间的能级差可随 QD 半径减小和深度增加而减小，从而在某些临界条件下这些能级相交。能级交叉导致由中心内电子跃迁引起的光学性质的异常特征。特别是，它导致由于此类能级之间的电子跃迁引起的光吸收显著变化，以及由 QD 和 TI 参数的电学调谐诱导的瞬态电致发光。在磁性 TI 的情况下，由于能级交叉，吸收或发射的圆偏振光的偏振方向发生改变。
引用
@article{arxiv.1704.08058,
title = {Electrically controlled crossing of energy levels in quantum dots in two-dimensional topological insulators},
author = {Aleksei A. Sukhanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.08058},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 3 figures